-
RFT50-60TM1306 DC~6.0GHz RF-терминатор
Модель RFT50-60TM1306(R,L,I) Диапазон частот DC~6,0 ГГц Мощность 60 Вт Диапазон сопротивления 50 Ом Допуск сопротивления ±5% КСВ 1,25 макс. Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeOO Материал конденсатора Al2O3 Фланец Никелированная медь Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: Способ установки Снижение мощности Обозначение P/N Вопросы, требующие внимания... -
RFT50N-05TJ1225 DC~12.0GHz, клеммная колодка с выводами
Модель RFT50N-05TJ1225 Диапазон частот DC~12,0 ГГц Мощность 5 Вт Диапазон сопротивления 50 Ом Допуск сопротивления ±5% КСВ DC~11,0 ГГц 1,25 Макс. DC~12,0 ГГц 1,30 Макс. Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки AlN Материал конденсатора Средний Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +155 °C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: Способ установки Снижение мощности Диаграмма времени и температуры оплавления: Обозначение P/N... -
Фланцевое соединение
Фланцевые клеммы устанавливаются на конце цепи, поглощая передаваемые по цепи сигналы и предотвращая их отражение, что влияет на качество передачи сигнала в цепи. Фланцевая клемма собирается путем приваривания одновыводного резистора к фланцам и клеммным колодкам. Размер фланца обычно определяется исходя из сочетания монтажных отверстий и размеров сопротивления клеммы. Возможна также индивидуальная настройка в соответствии с требованиями заказчика.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3,0 ГГц Согласование с низкой интермодуляцией
Модель CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Диапазон частот DC~3,0 ГГц КСВ 1,20 Макс. интермодуляционные искажения PIM3 ≥120 дБн при 2*33 дБм Мощность 50 Вт Импеданс 50 Ом Тип разъема DIN-M (J) Степень водозащиты IP65 Размеры 60×60×80 мм Рабочая температура -55 ~ +125°C (см. раздел «Снижение мощности») Цвет Черный Вес Около 410 г Внимание к снижению мощности Обозначение P/N -
RFT50-100CT6363 DC~5.0GHz RF Termination
Модель RFT50-100CT6363 Диапазон частот DC~5,0 ГГц Мощность 100 Вт Диапазон сопротивления 50 Ом Допуск сопротивления ±5% КСВ DC~4,0 ГГц 1,20 макс. DC~5,0 ГГц 1,25 макс. Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeO Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +155 °C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: Способ установки Снижение мощности Диаграмма времени и температуры оплавления: Обозначение P/N Важные моменты ■ После хранения... -
RFT50-500WT1313 DC~2.0GHz RF Termination
Модель RFT50-500WT1313 Диапазон частот DC~2,0 ГГц Мощность 500 Вт Диапазон сопротивления 50 Ом Допуск сопротивления ±5% КСВ 1,20 Макс. Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeO Материал конденсатора Технология среднего сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +155 °C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: Способ установки Снижение мощности Диаграмма времени и температуры оплавления: Обозначение P/N Важные моменты ■ После периода хранения... -
RFT50-100TM2595 DC~3.0GHz RF Termination
Модель RFT50-100TM2595 Диапазон частот DC~3,0 ГГц Мощность 100 Вт Диапазон сопротивления 50 Ом Допуск сопротивления ±5% КСВ 1,20 макс. Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeO Материал конденсатора Al2O3 Фланец Никелированная медь Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: Способ установки Снижение мощности Обозначение P/N Важные моменты ■ A... -
MT-100WXX-F1116-NJ-XXG Несоответствие оконечного устройства
Модель MT-100WXX-F1116-NJ-XXG Диапазон частот F0±5% (F0 — центральная частота) КСВ 1,5、2,0、2,5、3,0、3,5、4,0 Допуск КСВ ±5% Номинальная мощность 100 Вт Импеданс 50 Ом Тип разъема NM (J) Размеры 110,0×160,0×80,0 мм Рабочая температура -55 ~ +125°C (см. раздел «Снижение мощности») Вес около 0,9 кг Соответствие ROHS Да Внимание! Обозначение P/N для снижения мощности -
MT-50WXX-F6080-NJ-XXG Несоответствие оконечного устройства
Модель MT-50WXX-F6080-NJ-XXG Диапазон частот F0±5% (F0 — центральная частота) КСВ 1,5、2,0、2,5、3,0、3,5、4,0 Допуск КСВ ±5% Номинальная мощность 50 Вт Импеданс 50 Ом Тип разъема NM (J) Размеры 60,0×60,0×80,0 мм Рабочая температура -55 ~ +125°C (см. раздел «Снижение мощности») Вес / г Соответствует ROHS Да Внимание к обозначению P/N (номер детали) -
MT-10WXX-R3540-NJ-XXG Несоответствие оконечного устройства
Модель MT-10WXX-R3540-NJ-XXG Диапазон частот F0±5% (F0 — центральная частота) КСВ 1,5、2,0、2,5、3,0、3,5、4,0 Допуск КСВ ±5% Номинальная мощность 10 Вт Импеданс 50 Ом Тип разъема NM (J) Размеры Φ35,0×40,0 мм Рабочая температура -55 ~ +125°C (см. раздел «Снижение мощности») Вес около 40 г Соответствует ROHS Да Внимание к обозначению P/N (номер детали) для снижения мощности -
CT-50W-RX5015-IP65-DINJ 0.35-4G оконечный резистор с низким уровнем интермодуляционных искажений
Модель CT-50W-RX5015-IP65-DINJ/0.35-4G Диапазон частот 0,35~4,0 ГГц КСВ 1,25 Макс. интермодуляционные искажения PIM3 ≤-150 дБн/-155 дБн/-160 дБн при 2*43 дБм Мощность 50 Вт Импеданс 50 Ом Тип разъема DIN-M (J) Степень водозащиты IP65 или IP67 Размеры Φ50×150 мм Рабочая температура -35 ~ +75°C (см. раздел «Снижение мощности») Цвет Черный Внимание к снижению мощности Обозначение P/N -
CT-50W-RX5015-IP65-4310J 0.35-4G оконечный резистор с низким уровнем интермодуляционных искажений
Модель CT-50W-RX5015-IP65-4310J/0.35-4G Диапазон частот DC~4.0GHz КСВ 1.25 Макс. PIM3 ≤-150dBc/-155dBc/-160dBc @2*43dBm Мощность 50 Вт Импеданс 50 Ом Тип разъема 4.3-10-M (J) Степень водозащиты IP65 или IP67 Размеры Φ50×150 мм Рабочая температура -35 ~ +75°C (см. раздел «Снижение мощности») Цвет Черный Вес Около 630 г Внимание к снижению мощности Обозначение P/N
