Продукты
Фланцевое соединение
Фланцевое соединение
Фланцевое соединение
Основные технические характеристики:
Номинальная мощность: 5-1500 Вт;
Материалы подложки: BeO, AlN, Al2O3
Номинальное значение сопротивления: 50 Ом
Допустимая погрешность сопротивления: ±5%, ±2%, ±1%
Температурный коэффициент: <150 ppm/℃
Рабочая температура: -55–+150℃
Покрытие фланца: по желанию никелевое или серебряное покрытие.
Стандарт ROHS: Соответствует
Применимый стандарт: Q/RFTYTR001-2022
Длина провода: L, как указано в техническом описании.
(Возможна индивидуальная настройка в соответствии с требованиями заказчика)
| Власть (В) | Частота Диапазон | Размер (единица измерения: мм) | СубстратМатериал | Конфигурация | Техническая спецификация (PDF) | ||||||||||
| A | B | C | D | E | H | G | W | L | J | Φ | |||||
| 5W | 6 ГГц | 13.0 | 4.0 | 9.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | Al2O3 | Рис. 1 | RFT50A-05TM1304 |
| 11.0 | 4.0 | 7.6 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.2 | Al2O3 | Рис. 1 | RFT50A-05TM1104 | ||
| 9.0 | 4.0 | 7.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | Al2O3 | Рис. 2 | RFT50A-05TM0904(R,L,I) | ||
| 10 Вт | 4 ГГц | 7.7 | 5.0 | 5.1 | 2.5 | 1.5 | 2.5 | 3.5 | 1.0 | 3.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50-10TM7750((R,L)) |
| 6 ГГц | 13.0 | 4.0 | 9.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | Al2O3 | Рис. 1 | RFT50A-10TM1304 | |
| АльН | Рис. 1 | RFT50N-10TJ1304 | |||||||||||||
| 11.0 | 4.0 | 7.6 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.2 | Al2O3 | Рис. 1 | RFT50A-10TM1104 | ||
| АльН | Рис. 1 | RFT50N-10TJ1104 | |||||||||||||
| 9.0 | 4.0 | 7.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | Al2O3 | Рис. 2 | RFT50A-10TM0904(R,L,I) | ||
| АльН | Рис. 2 | RFT50N-10TJ0904(R,L,I) | |||||||||||||
| 8 ГГц | 13.0 | 4.0 | 9.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | БеО | Рис. 1 | RFT50-10TM1304 | |
| 11.0 | 4.0 | 7.6 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-10TM1104 | ||
| 9.0 | 4.0 | 7.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50-10TM0904(R,L,I) | ||
| 18 ГГц | 7.7 | 5.0 | 5.1 | 2.5 | 1.5 | 2.5 | 3.5 | 1.0 | 3.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50-10TM7750I | |
| 20 Вт | 4 ГГц | 7.7 | 5.0 | 5.1 | 2.5 | 1.5 | 2.5 | 3.5 | 1.0 | 3.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50-20TM7750((R,L)) |
| 6 ГГц | 13.0 | 4.0 | 9.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-20TJ1304 | |
| 11.0 | 4.0 | 7.6 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.2 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-20TJ1104 | ||
| 9.0 | 4.0 | 7.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | АльН | Рис. 2 | RFT50N-20TJ0904(R,L,I) | ||
| 8 ГГц | 13.0 | 4.0 | 9.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | БеО | Рис. 1 | RFT50-20TM1304 | |
| 11.0 | 4.0 | 7.6 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-20TM1104 | ||
| 9.0 | 4.0 | 7.0 | 4.0 | 0,8 | 1.8 | 2.8 | 1.0 | 4.0 | / | 2.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50-10TM0904(R,L,I) | ||
| 18 ГГц | 7.7 | 5.0 | 5.1 | 2.5 | 1.5 | 2.5 | 3.5 | 1.0 | 3.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50-10TM7750I | |
| 30 Вт | 6 ГГц | 16.0 | 6.0 | 13.0 | 6.0 | 1.0 | 2.0 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 2.1 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-30TJ1606 |
| БеО | Рис. 1 | RFT50-30TM1606 | |||||||||||||
| 20.0 | 6.0 | 14.0 | 6.0 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-30TJ2006 | ||
| БеО | Рис. 1 | RFT50-30TM2006 | |||||||||||||
| 13.0 | 6.0 | 10.0 | 6.0 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | АльН | Рис. 2 | RFT50N-30TJ1306(R,L,I) | ||
| 3.0 | БеО | Рис. 2 | RFT50-30TM1306(R,L,I) | ||||||||||||
| 60 Вт | 6 ГГц | 16.0 | 6.0 | 13.0 | 6.0 | 1.0 | 2.0 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 2.1 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-60TJ1606 |
| 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-60TM1606 | ||||||||||||
| 20.0 | 6.0 | 14.0 | 6.0 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-60TJ2006 | ||
| 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-60TM2006 | ||||||||||||
| 13.0 | 6.0 | 10.0 | 6.0 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | АльН | Рис. 2 | RFT50N-60TJ1306(R,L,I) | ||
| 3.2 | БеО | Рис. 2 | RFT50-60TM1306(R,L,I) | ||||||||||||
| Власть (В) | Частота Диапазон | Размеры (единица измерения: мм) | Субстрат Материал | Конфигурация | Техническая документация (PDF) | ||||||||||
| A | B | C | D | E | H | G | W | L | J | Φ | |||||
| 100 Вт | 3 ГГц | 24.8 | 9.5 | 18.4 | 9.5 | 2.9 | 4.8 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 1 | RFT50-100TM2595 |
| 4 ГГц | 16.0 | 6.0 | 13.0 | 9.0 | 1.0 | 2.0 | 2.5 | 1.0 | 6.0 | / | 2.1 | БеО | Рис. 2 | RFT50N-100TM1606 | |
| 20.0 | 6.0 | 14.0 | 9.0 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50N-100TJ2006 | ||
| 24.8 | 6.0 | 18.4 | 6.0 | 2.8 | 3.8 | 4.6 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-100TM2506 | ||
| 16.0 | 10.0 | 13.0 | 10.0 | 1.5 | 2.6 | 3.3 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 4 | RFT50-100TJ1610(R,L,I) | ||
| 23.0 | 10.0 | 17.0 | 10.0 | 1.5 | 3.0 | 3.8 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-100TJ2310 | ||
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 10.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-100TJ2510 | ||
| 5 ГГц | 13.0 | 6.35 | 10.0 | 6.35 | 1.5 | 2.5 | 3.2 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 2 | RFT50-100TJ1363(R,L,I) | |
| 16.6 | 6.35 | 12.0 | 6.35 | 1.5 | 2.5 | 3.5 | 1.0 | 5.0 | / | 2.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-100TM1663 | ||
| 6 ГГц | 16.0 | 6.0 | 13.0 | 8.9 | 1.0 | 2.0 | 2.5 | 1.0 | 5.0 | / | 2.1 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-100TJ1606B | |
| 20.0 | 6.0 | 14.0 | 8.9 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-100TJ2006B | ||
| 8 ГГц | 20.0 | 6.0 | 14.0 | 8.9 | 1.5 | 3.0 | 3.5 | 1.0 | 5.0 | / | 3.2 | АльН | Рис. 1 | RFT50N-100TJ2006C | |
| 150 Вт | 3 ГГц | 16.0 | 10.0 | 13.0 | 10.0 | 1.5 | 2.6 | 3.3 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 4 | RFT50-150TM1610(R,L,I) |
| 22.0 | 9.5 | 14.0 | 6.35 | 1.5 | 2.6 | 3.0 | 1.4 | 5.0 | / | 4.0 | АЙН | Рис. 1 | RFT50N-150TJ2295 | ||
| 24.8 | 9.5 | 18.4 | 9.5 | 2.9 | 4.8 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 1 | RFT50-150TM2595 | ||
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 10.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-150TM2510 | ||
| 4 ГГц | 16.0 | 10.0 | 13.0 | 10.0 | 1.5 | 2.6 | 3.3 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 4 | RFT50-150TJ1610(R,L,I) | |
| 23.0 | 10.0 | 17.0 | 10.0 | 1.5 | 3.0 | 3.8 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 3 | RFT50-150TJ2310 | ||
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 10.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-150TJ2510 | ||
| 200 Вт | 3 ГГц | 24.8 | 9.5 | 18.4 | 9.5 | 2.9 | 4.8 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.1 | БеО | Рис. 1 | RFT50-200TM2595 |
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 10.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-200TM2510 | ||
| 4 ГГц | 16.0 | 10.0 | 13.0 | 10.0 | 1.5 | 2.6 | 3.3 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 2 | RFT50-200TM1610(R,L,I) | |
| 23.0 | 10.0 | 17.0 | 10.0 | 1.5 | 3.0 | 3.8 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 3 | RFT50-200TJ2310 | ||
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 10.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-150TJ2510 | ||
| 10 ГГц | 32.0 | 12.7 | 22.0 | 12.7 | 3.0 | 5.0 | 6.0 | 2.4 | 6.0 | / | 4.0 | БеО | Рис. 1 | RFT50-200TM3213B | |
| 250 Вт | 3 ГГц | 23.0 | 10.0 | 17.0 | 12.0 | 1.5 | 3.0 | 3.8 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 3 | RFT50-250TM2310 |
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 12.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-250TM2510 | ||
| 27.0 | 10.0 | 21.0 | 12.0 | 2.5 | 4.0 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-250TM2710 | ||
| 10 ГГц | 32.0 | 12.7 | 22.0 | 12.7 | 3.0 | 5.0 | 6.0 | 2.4 | 6.0 | / | 4.0 | БеО | Рис. 1 | RFT50-250TM3213B | |
| 300 Вт | 3 ГГц | 23.0 | 10.0 | 17.0 | 12.0 | 1.5 | 3.0 | 3.8 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-300TM2310 |
| 24.8 | 10.0 | 18.4 | 12.0 | 3.0 | 4.6 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.5 | БеО | Рис. 1 | RFT50-300TM2510 | ||
| 27.0 | 10.0 | 21.0 | 12.0 | 2.5 | 4.0 | 5.5 | 1.4 | 6.0 | / | 3.2 | БеО | Рис. 1 | RFT50-300TM2710 | ||
| 10 ГГц | 32.0 | 12.7 | 22.0 | 12.7 | 3.0 | 5.0 | 6.0 | 2.4 | 6.0 | / | 4.0 | БеО | Рис. 1 | RFT50-300TM3213B | |
| 400 Вт | 2 ГГц | 32.0 | 12.7 | 22.0 | 12.7 | 3.0 | 5.0 | 6.0 | 2.4 | 6.0 | / | 4.0 | БеО | Рис. 1 | RFT50-400TM3213 |
| 500 Вт | 2 ГГц | 32.0 | 12.7 | 22.0 | 12.7 | 3.0 | 5.0 | 6.0 | 2.4 | 6.0 | / | 4.0 | БеО | Рис. 1 | RFT50-500TM3213 |
| 800 Вт | 1 ГГц | 48.0 | 26.0 | 40.0 | 26.0 | 3.0 | 6.2 | 6.9 | 6.0 | 7.0 | 12.7 | 4.2 | БеО | Рис. 5 | RFT50-800TM4826 |
| 1000 Вт | 1 ГГц | 48.0 | 26.0 | 40.0 | 26.0 | 3.0 | 6.2 | 6.9 | 6.0 | 7.0 | 12.7 | 4.2 | БеО | Рис. 5 | RFT50-1000TM4826 |
| 1500 Вт | 0,8 ГГц | 50.0 | 78.0 | 40.0 | 26.0 | 5.0 | 8.2 | 9.0 | 6.0 | 7.0 | 15.0 | 4.2 | БеО | Рис. 5 | RFT50-1500TM5078 |
Обзор
Фланец обычно изготавливается из никеля с медным покрытием или серебрения. Подложка резистора обычно изготавливается из оксида бериллия, нитрида алюминия и оксида алюминия методом печатной печати в зависимости от требований к мощности и условий теплоотвода.
Фланцевые клеммы, как и клеммы с выводами, в основном используются для поглощения сигнальных волн, передаваемых к концу цепи, предотвращения отражения сигнала от цепи и обеспечения качества передачи в системе.
Фланцевый вывод отличается простотой установки по сравнению с обычными резисторами благодаря наличию фланца и монтажных отверстий на фланце.
