| RFTYT DC-110GHz коаксиальный разъем | |||||
| Власть | Тип разъема | Импеданс (Ω) | КСВР макс | Диапазон частот (ГГц) и разъем M Техническая спецификация | Диапазон частот (ГГц) и разъем F Техническая спецификация |
| 1W | 1.0 | 50 Ом | 1.50 | 110Г-М | 110G-F |
| 1.35 | 50 Ом | 1.60 | 90Г-М | / | |
| 2W | 1.85 | 50 Ом | 1.30 | 67Г-М | 67G-F |
| 2.4 | 50 Ом | 1.20 | 50Г-М | 50Г-Ф | |
| 2.92 | 50 Ом | 1.20 | 40Г-М | 40Г-Ф | |
| СМП | 50 Ом | 1.30 | 40Г-М | 40Г-Ф | |
| СМА | 50 Ом | 1.35 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| N | 50 Ом | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 5W | 2.92 | 50 Ом | 1.25 | 40Г-М | 40Г-Ф |
| СМП | 50 Ом | 1.30 | 18Г-М | 18G-F | |
| СМА | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 10 Вт | 1.85 | 50 Ом | 1.40 | 67Г-М | 67G-F |
| 2.4 | 50 Ом | 1.40 | 50Г-М | 50Г-Ф | |
| СМП | 50 Ом | 1.30 | 18Г-М | 18G-F | |
| СМА | 50 Ом | 1.25 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8Г10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 20 Вт | 2.92 | 50 Ом | 1.30 | 40Г-М | 40Г-Ф |
| СМА | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 30 Вт | 2.92 | 50 Ом | 1.30 | 40Г-М | 40Г-Ф |
| СМА | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 50 Вт | СМА | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г |
| N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 100 Вт | СМА | 50 Ом | 1.35 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г |
| N | 50 Ом | 1.45 | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12.4G 18Г | |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 150 ОмВт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 200 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 300 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 500 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
| 4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
| 1000 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 1G 2G 3G 4G | 1G 2G 3G 4G |
| DIN, N29, 7/16 | 50 Ом | 1.30 | 1G 2G 3G 4G | 1G 2G 3G 4G | |
ВЧ коаксиальный фиксированный оконечный резистор, также называемый эквивалентной нагрузкой, представляет собой пассивное однопортовое микроволновое устройство, широко используемое в микроволновых схемах и микроволновом оборудовании. Его основное назначение — поглощение мощности радиочастотных или микроволновых систем; или в качестве эквивалентной нагрузки для антенн и передающих терминалов. В некоторых ВЧ-тестах, чтобы избежать отражения сигнала и влияния на результаты испытаний, он подключается к неиспользуемым портам в качестве согласующей нагрузки для поглощения энергии порта. Он также может служить эквивалентной нагрузкой при оценке производительности системы с помощью имитированных терминалов (например, антенн).
Эквивалентные нагрузки собираются из разъемов, радиаторов и встроенных резисторных микросхем. В зависимости от частоты и мощности обычно используются разъемы таких типов, как 2,92, SMA, N, DIN, 4,3-10 и т. д.
Радиатор разработан с учетом соответствующих габаритов по теплоотводу, исходя из требований к теплоотводу при различных уровнях мощности. Встроенный чип может быть однокристальным или состоять из нескольких групп чипов в зависимости от требуемой частоты и мощности.
Коаксиальные кабели с фиксированными клеммами обладают такими характеристиками, как широкий диапазон рабочих частот, низкий коэффициент стоячей волны (КСВ), высокая мощность, малые размеры и низкая вероятность перегорания.
Наша компания специализируется на исследованиях, производстве и продаже муляжей нагрузок с максимальной частотой 110G. Приглашаем клиентов к сотрудничеству, а также предлагаем связаться с отделом продаж для изготовления муляжей на заказ в соответствии с вашими потребностями.