продукты

Продукты

Ведущее прекращение

Выводное оконечное соединение представляет собой резистор, установленный в конце цепи, который поглощает сигналы, передаваемые в цепи, и предотвращает отражение сигнала, тем самым влияя на качество передачи системы схемы.

Выводные выводы также известны как оконечные резисторы с одним выводом SMD.Он устанавливается в конце контура при помощи сварки.Основная цель - поглотить сигнальные волны, передаваемые к концу цепи, предотвратить влияние отражения сигнала на цепь и обеспечить качество передачи системы цепи.


Информация о продукте

Теги продукта

Ведущее прекращение

Ведущее прекращение
Основные технические характеристики:
Номинальная мощность: 5-800 Вт;
Материалы подложки: BeO, AlN, Al2O3.
Номинальное значение сопротивления: 50 Ом
Допуск сопротивления: ±5%, ±2%, ±1%.
Температурный коэффициент:<150 ppm/℃
Рабочая температура:-55~+150℃.
Стандарт ROHS: Соответствует
Применимый стандарт: Q/RFTYTR001-2022.
Длина вывода: L, как указано в паспорте.
(можно настроить в соответствии с требованиями заказчика)

Рейтинг1
Власть(Вт) Частота Размеры (единица измерения: мм) СубстратМатериал Технический паспорт(PDF)
A B H G W L
5W 6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1,6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
11 ГГц 1,27 2.54 0,5 1.0 0,8 3.0 АлН     RFT50N-05TJ1225
10 Вт 4 ГГц 2,5 5.0 1.0 1,9 1.0 4.0 БеО     РФТ50-10ТМ2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1,6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1,6 1.0 3.0 БеО     РФТ50-10ТМ0404
10 ГГц 5.0 3,5 1.0 1,9 1.0 3.0 БеО     РФТ50-10ТМ5035
18 ГГц 5.0 2,5 1.0 1,8 1.0 3.0 БеО     РФТ50-10ТМ5023
20 Вт 4 ГГц 2,5 5.0 1.0 1,9 1.0 4.0 БеО     РФТ50-20ТМ2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1,6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1,6 1.0 3.0 БеО     РФТ50-20ТМ0404
10 ГГц 5.0 3,5 1.0 1,9 1.0 3.0 БеО     РФТ50-20ТМ5035
18 ГГц 5.0 2,5 1.0 1,8 1.0 3.0 БеО     РФТ50-20ТМ5023
30 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1,8 1.0 5.0 АлН     RFT50N-30TJ0606
6.0 6.0 1.0 1,8 1.0 5.0 БеО     РФТ50-30ТМ0606
60 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1,8 1.0 5.0 АлН     RFT50N-60TJ0606
6.0 6.0 1.0 1,8 1.0 5.0 БеО     РФТ50-60ТМ0606
6.35 6.35 1.0 1,8 1.0 5.0 БеО     RFT50-60TJ6363
100 Вт 3 ГГц 6.35 9,5 1.0 1,6 1,4 5.0 АлН     RFT50N-100TJ6395
8,9 5,7 1.0 1,6 1.0 5.0 АлН     RFT50N-100TJ8957
9,5 9,5 1.0 1,6 1,4 5.0 БеО     RFT50-100TJ9595
4 ГГц 10,0 10,0 1.0 1,8 1,4 5.0 БеО     РФТ50-100TJ1010
6 ГГц 6.35 6.35 1.0 1,8 1.0 5.0 БеО     RFT50-100TJ6363
8,9 5,7 1.0 1,6 1.0 5.0 АлН     RFT50N-100TJ8957B
     
8 ГГц 9,0 6.0 1,5 2.0 1.0 5.0 БеО     RFT50-100TJ0906C
150 Вт 3 ГГц 6.35 9,5 1.0 1,6 1,4 5.0 АлН     RFT50N-150TJ6395
9,5 9,5 1.0 1,6 1,4 5.0 БеО     RFT50-150TJ9595
4 ГГц 10,0 10,0 1.0 1,8 1,4 5.0 БеО     РФТ50-150TJ1010
6 ГГц 10,0 10,0 1.0 1,8 1,4 5.0 БеО     RFT50-150TJ1010B
200 Вт 3 ГГц 9,5 9,5 1.0 1,6 1,4 5.0 БеО     RFT50-200TJ9595
 
4 ГГц 10,0 10,0 1.0 1,8 1,4 5.0 БеО     РФТ50-200TJ1010
10 ГГц 12,7 12,7 2.0 3,5 2.4 5.0 БеО     РФТ50-200ТМ1313Б
250 Вт 3 ГГц 12,0 10,0 1,5 2,5 1,4 5.0 БеО     РФТ50-250ТМ1210
10 ГГц 12,7 12,7 2.0 3,5 2.4 5.0 БеО     РФТ50-250ТМ1313Б
300 Вт 3 ГГц 12,0 10,0 1,5 2,5 1,4 5.0 БеО     РФТ50-300ТМ1210
10 ГГц 12,7 12,7 2.0 3,5 2.4 5.0 БеО     РФТ50-300ТМ1313Б
400 Вт 2 ГГц 12,7 12,7 2.0 3,5 2.4 5.0 БеО     РФТ50-400ТМ1313
500 Вт 2 ГГц 12,7 12,7 2.0 3,5 2.4 5.0 БеО     РФТ50-500ТМ1313
800 Вт 1 ГГц 25,4 25,4 3.2 4 6 7 БеО     РФТ50-800ТМ2525

Обзор

Выводное оконцевание выполняется путем выбора подходящего размера подложки и материалов с учетом различных требований к частоте и мощности с помощью сопротивления, печати схем и спекания.Обычно используемые материалы подложки могут в основном представлять собой оксид бериллия, нитрид алюминия, оксид алюминия или материалы с лучшими теплоотводами.

Выводное окончание, разделенное на тонкопленочный процесс и толстопленочный процесс.Он разрабатывается на основе конкретных требований к мощности и частоте, а затем обрабатывается в процессе.Если у вас есть особые потребности, пожалуйста, свяжитесь с нашим торговым персоналом, чтобы предоставить конкретные решения для индивидуальной настройки.


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам