Ведущее прекращение
Основные технические характеристики:
Номинальная мощность: 5-800 Вт;
Материалы подложки: BeO, AlN, Al2O3.
Номинальное значение сопротивления: 50 Ом
Допуск сопротивления: ±5%, ±2%, ±1%.
Температурный коэффициент:<150 ppm/℃
Рабочая температура:-55~+150℃.
Стандарт ROHS: Соответствует
Применимый стандарт: Q/RFTYTR001-2022.
Длина вывода: L, как указано в паспорте.
(можно настроить в соответствии с требованиями заказчика)
Власть(Вт) | Частота | Размеры (единица измерения: мм) | СубстратМатериал | Технический паспорт(PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
11 ГГц | 1,27 | 2.54 | 0,5 | 1.0 | 0,8 | 3.0 | АлН | RFT50N-05TJ1225 | |
10 Вт | 4 ГГц | 2,5 | 5.0 | 1.0 | 1,9 | 1.0 | 4.0 | БеО | РФТ50-10ТМ2550 |
6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 3.0 | БеО | РФТ50-10ТМ0404 | |
10 ГГц | 5.0 | 3,5 | 1.0 | 1,9 | 1.0 | 3.0 | БеО | РФТ50-10ТМ5035 | |
18 ГГц | 5.0 | 2,5 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 3.0 | БеО | РФТ50-10ТМ5023 | |
20 Вт | 4 ГГц | 2,5 | 5.0 | 1.0 | 1,9 | 1.0 | 4.0 | БеО | РФТ50-20ТМ2550 |
6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 3.0 | БеО | РФТ50-20ТМ0404 | |
10 ГГц | 5.0 | 3,5 | 1.0 | 1,9 | 1.0 | 3.0 | БеО | РФТ50-20ТМ5035 | |
18 ГГц | 5.0 | 2,5 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 3.0 | БеО | РФТ50-20ТМ5023 | |
30 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-30TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 5.0 | БеО | РФТ50-30ТМ0606 | ||
60 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-60TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 5.0 | БеО | РФТ50-60ТМ0606 | ||
6.35 | 6.35 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 5.0 | БеО | RFT50-60TJ6363 | ||
100 Вт | 3 ГГц | 6.35 | 9,5 | 1.0 | 1,6 | 1,4 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ6395 |
8,9 | 5,7 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ8957 | ||
9,5 | 9,5 | 1.0 | 1,6 | 1,4 | 5.0 | БеО | RFT50-100TJ9595 | ||
4 ГГц | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1,8 | 1,4 | 5.0 | БеО | РФТ50-100TJ1010 | |
6 ГГц | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1,8 | 1.0 | 5.0 | БеО | RFT50-100TJ6363 | |
8,9 | 5,7 | 1.0 | 1,6 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ8957B | ||
8 ГГц | 9,0 | 6.0 | 1,5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | БеО | RFT50-100TJ0906C | |
150 Вт | 3 ГГц | 6.35 | 9,5 | 1.0 | 1,6 | 1,4 | 5.0 | АлН | RFT50N-150TJ6395 |
9,5 | 9,5 | 1.0 | 1,6 | 1,4 | 5.0 | БеО | RFT50-150TJ9595 | ||
4 ГГц | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1,8 | 1,4 | 5.0 | БеО | РФТ50-150TJ1010 | |
6 ГГц | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1,8 | 1,4 | 5.0 | БеО | RFT50-150TJ1010B | |
200 Вт | 3 ГГц | 9,5 | 9,5 | 1.0 | 1,6 | 1,4 | 5.0 | БеО | RFT50-200TJ9595 |
4 ГГц | 10,0 | 10,0 | 1.0 | 1,8 | 1,4 | 5.0 | БеО | РФТ50-200TJ1010 | |
10 ГГц | 12,7 | 12,7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | БеО | РФТ50-200ТМ1313Б | |
250 Вт | 3 ГГц | 12,0 | 10,0 | 1,5 | 2,5 | 1,4 | 5.0 | БеО | РФТ50-250ТМ1210 |
10 ГГц | 12,7 | 12,7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | БеО | РФТ50-250ТМ1313Б | |
300 Вт | 3 ГГц | 12,0 | 10,0 | 1,5 | 2,5 | 1,4 | 5.0 | БеО | РФТ50-300ТМ1210 |
10 ГГц | 12,7 | 12,7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | БеО | РФТ50-300ТМ1313Б | |
400 Вт | 2 ГГц | 12,7 | 12,7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | БеО | РФТ50-400ТМ1313 |
500 Вт | 2 ГГц | 12,7 | 12,7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | БеО | РФТ50-500ТМ1313 |
800 Вт | 1 ГГц | 25,4 | 25,4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | БеО | РФТ50-800ТМ2525 |
Выводное оконцевание выполняется путем выбора подходящего размера подложки и материалов с учетом различных требований к частоте и мощности с помощью сопротивления, печати схем и спекания.Обычно используемые материалы подложки могут в основном представлять собой оксид бериллия, нитрид алюминия, оксид алюминия или материалы с лучшими теплоотводами.
Выводное окончание, разделенное на тонкопленочный процесс и толстопленочный процесс.Он разрабатывается на основе конкретных требований к мощности и частоте, а затем обрабатывается в процессе.Если у вас есть особые потребности, пожалуйста, свяжитесь с нашим торговым персоналом, чтобы предоставить конкретные решения для индивидуальной настройки.