-
RFT20N-60AM1663-6 Фланцевый аттенюатор постоянного тока ~ 6,0 ГГц
Модель RFT20N-60AM1663-6 (XX = значение затухания) Импеданс 50 Ом Диапазон частот DC~6,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Номинальная мощность 60 Вт Значение затухания (дБ) 20 Допуск затухания (дБ) ±0,8 Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки Фарфор AlN Материал колпачка Al2O3 Фланец Никелированная медь Выводы 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Схема (единица измерения: мм/дюйм) Длина выводов ок. ... -
RFTXX-60AM1606-6 Фланцевый аттенюатор постоянного тока ~6,0 ГГц
Модель RFTXX-60AM1606-6 (XX = значение затухания) Импеданс 50 Ом Диапазон частот DC~6,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Номинальная мощность 60 Вт Значение затухания (дБ) 1-10/15, 20/25, 30 Допуск затухания (дБ) ±0,6/±0,8/±1,0 Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeO Фарфор Материал колпачка Al2O3 Фланец Никелированная медь Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Схема (Единица измерения: мм/... -
Аттенюатор RFTXXN-100AJ8957-3 с выводами, постоянный ток ~3,0 ГГц.
Модель RFTXXN-100AJ8957-3 (XX = значение затухания) Импеданс 50 Ом Диапазон частот DC~3,0 ГГц КСВ 1,20 макс. Номинальная мощность 100 Вт Значение затухания 13, 20, 30 дБ Допуск затухания ±1,0 дБ Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки AlN Фарфор Материал колпачка Средний свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Схема (Единица измерения: мм/дюйм) Длина выводов может быть изменена по индивидуальному заказу... -
Микрополосковый аттенюатор
Микрополосковый аттенюатор — это устройство, играющее роль в ослаблении сигнала в микроволновом диапазоне частот. Создание фиксированных аттенюаторов широко используется в таких областях, как микроволновая связь, радиолокационные системы, спутниковая связь и т. д., обеспечивая управляемую функцию ослабления сигнала в схемах. В отличие от широко используемых микросхем патч-аттенюаторов, микрополосковые аттенюаторы необходимо собирать в корпус определенного размера с помощью коаксиального соединения для достижения ослабления сигнала от входа к выходу.
Индивидуальный дизайн доступен по запросу.
-
Аттенюатор RFT20N-60AM6363-6 с выводами, постоянный ток ~6,0 ГГц.
Модель RFT20N-60AM6363-6 (XX = значение затухания) Импеданс 50 Ом Диапазон частот DC~6,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Номинальная мощность 60 Вт Значение затухания 20 дБ Допуск затухания ±0,8 дБ Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки Фарфор AlN Материал колпачка Al2O3 Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Схема (Единица измерения: мм/дюйм) Длина выводов может быть изменена по заказу клиента... -
Аттенюатор RFTXX-60AM6363B-3 с выводами, постоянный ток ~3,0 ГГц.
Модель RFTXX-60AM6363B-3 (XX = значение затухания) Импеданс 50 Ом Диапазон частот DC~3,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Номинальная мощность 60 Вт Значение затухания 01-10 дБ/16 дБ/20 дБ Допуск затухания ±0,6 дБ/±0,8 дБ/±1,0 дБ Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeO Фарфор Материал колпачка Al2O3 Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150 °C (см. раздел «Снижение мощности») Схема (единица измерения: мм/дюйм) Длина выводов может быть изменена... -
Аттенюатор RFTXXA-05AM0404-3 с выводами, постоянный ток ~3,0 ГГц.
Модель RFTXXA-05AM0404-3 (XX = значение затухания) Импеданс 50 Ом Диапазон частот DC~3,0 ГГц КСВ 1,20 макс. Номинальная мощность 5 Вт Значение затухания (дБ) 01-10/15, 17, 20/25, 30 Допуск затухания (дБ) ±0,6/±0,8/±1,0 Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки Al2O3 Фарфор Материал колпачка Al2O3 Свинец 99,99% стерлинговое серебро Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150°C (см. раздел «Снижение мощности») Схема (единица измерения: мм/дюйм) Длина выводов ... -
RFTXX-60CA6363B-3 Чиповый аттенюатор постоянного тока ~ 3,0 ГГц ВЧ-аттенюатор
Модель RFTXX-60CA6363B-3 (XX = значение затухания) Диапазон сопротивления 50 Ом Диапазон частот DC~3,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Мощность 60 Вт Значение затухания (дБ) 01-10 дБ/11-20 дБ/21-30 дБ Допуск затухания (дБ) ±0,6 дБ/±0,8 дБ/±1,0 дБ Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки BeO Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150 °C (см. раздел «Снижение мощности») Способ установки Снижение мощности Схема времени и температуры пайки оплавлением Обозначение P/N ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 Чиповый аттенюатор постоянного тока ~ 3,0 ГГц ВЧ-аттенюатор
Модель RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = значение затухания) Диапазон сопротивления 50 Ом Диапазон частот DC~3,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Мощность 20 Вт Значение затухания (дБ) 01-10 дБ/11-20 дБ/21-30 дБ Допуск затухания (дБ) ±0,6 дБ/±0,8 дБ/±1,0 дБ Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки AlN Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150 °C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: График 2 дБ График 20 дБ График 6 дБ График 30 дБ Способ установки... -
RFTXXN-10CA5025C-6 Чиповый аттенюатор постоянного тока ~ 6,0 ГГц ВЧ-аттенюатор
Модель RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = значение затухания) Диапазон сопротивления 50 Ом Диапазон частот DC~6,0 ГГц КСВ 1,25 макс. Мощность 10 Вт Значение затухания (дБ) 01-10 дБ/11-20 дБ Допуск затухания (дБ) ±0,6 дБ/±0,8 дБ Температурный коэффициент <150 ppm/℃ Материал подложки AlN Технология сопротивления Толстопленочная Рабочая температура от -55 до +150 °C (см. раздел «Снижение мощности») Типичные характеристики: График 6 дБ График 20 дБ Способ установки Снижение мощности Время пайки оплавлением и ... -
Микрополосковый аттенюатор с защитной оболочкой
Микрополосковый аттенюатор с втулкой представляет собой спиральный микрополосковый аттенюатор с заданным значением затухания, вставленный в металлическую круглую трубку определенного размера (трубка обычно изготавливается из алюминия и требует проводящего оксидирования, а также может быть покрыта золотом или серебром по мере необходимости).
Индивидуальный дизайн доступен по запросу.
-
Чип-аттенюатор
Чиповый аттенюатор — это микроэлектронное устройство, широко используемое в беспроводных системах связи и радиочастотных схемах. Он в основном используется для ослабления мощности сигнала в цепи, управления мощностью передаваемого сигнала, а также для выполнения функций регулирования и согласования сигнала.
Чиповый аттенюатор обладает такими характеристиками, как миниатюризация, высокая производительность, широкий диапазон частот, регулируемость и надежность.
Индивидуальный дизайн доступен по запросу.
