продукция

Продукция

Фланцевое прекращение

Фланцевые завершения установлены в конце схемы, которая поглощает сигналы, передаваемые в цепи и предотвращают отражение сигнала, тем самым влияя на качество передачи системы цепи. Размер фланца обычно разработан на основе комбинации отверстий установки и размеров сопротивления терминала. Настройка также может быть сделана в соответствии с требованиями использования клиента.


  • Рейтинг сила:5-1500 Вт
  • Подложки материалы:Beo 、 aln 、 al2o3
  • Номинальное значение сопротивления:50 Ом
  • Терпимость сопротивления:± 5%、 ± 2%、 ± 1%
  • Коэффициент температуры:< 150ppm/℃
  • Температура работы:-55 ~+150 ℃
  • Накрытие фланца:Дополнительное никель или серебряное покрытие
  • Rohs Standard:Соответствует
  • Длина свинца:L, как указано в листе данных
  • Пользовательский дизайн доступен по запросу.:
  • Деталь продукта

    Теги продукта

    Фланцевое прекращение

    Фланцевое прекращение
    Основные технические характеристики:

    Рейтинг мощности: 5-1500 Вт ;
    Подложки: Beo 、 aln 、 al2o3
    Номинальное значение сопротивления: 50 Ом
    Устойчивость к сопротивлению: ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
    Температурный коэффициент : < 150ppm/℃
    Температура работы: -55 ~+150 ℃
    Покрытие фланца: необязательное никель или серебряное покрытие
    Стандарт ROHS: соответствует
    Применимый стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Длина свинца: L, как указано в листе данных
    (может быть настроен в соответствии с требованиями клиента)

    zxczxc1
    Власть
    (W)
    Частота
    Диапазон
    Размер (блок: мм) СубстратМатериал Конфигурация Техническая спецификация
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Рис   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Рис   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Рис   RFT50A-05TM0904 (R, L, I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-10TM7750 ((R, L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Рис   RFT50A-10TM1304
    Альтернативный Рис   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Рис   RFT50A-10TM1104
    Альтернативный Рис   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Рис   RFT50A-10TM0904 (R, L, I)
      Альтернативный Рис   RFT50N-10TJ0904 (R, L, I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Беремник Рис   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Беремник Рис   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Беремник Рис   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-10TM7750I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-20TM7750 ((R, L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Альтернативный Рис   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Альтернативный Рис   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Альтернативный Рис   RFT50N-20TJ0904 (R, L, I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Беремник Рис   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Беремник Рис   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Беремник Рис   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-10TM7750I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6,0 13.0 6,0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 Альтернативный Рис   RFT50N-30TJ1606
    Беремник Рис   RFT50-30TM1606
    20.0 6,0 14.0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Альтернативный Рис   RFT50N-30TJ2006
    Беремник Рис   RFT50-30TM2006
    13.0 6,0 10.0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Альтернативный Рис   RFT50N-30TJ1306 (R, L, I)
    3.0 Беремник Рис   RFT50-30TM1306 (R, L, I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6,0 13.0 6,0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 Альтернативный Рис   RFT50N-60TJ1606
    3.2 Беремник Рис   RFT50-60TM1606
    20.0 6,0 14.0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Альтернативный Рис   RFT50N-60TJ2006
    3.2 Беремник Рис   RFT50-60TM2006
    13.0 6,0 10.0 6,0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Альтернативный Рис   RFT50N-60TJ1306 (R, L, I)
    3.2 Беремник Рис   RFT50-60TM1306 (R, L, I)
    法兰式终端 Fig3,4,5
    Власть
    (W)
    Частота
    Диапазон
    Размеры (блок: мм) Субстрат
    Материал
    Конфигурация Лист данных (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6,0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6,0 / 2.1 Беремник Рис   RFT50N-100TM1606
    20.0 6,0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6,0 18.4 6,0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-100TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-100TJ1363 (R, L, I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 Беремник Рис   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6,0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 Альтернативный Рис   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6,0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Альтернативный Рис   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6,0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 Альтернативный Рис   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-150TM1610 (R, L, I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 Айн Рис   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-150TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис .3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 Беремник Рис   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-200TM1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис .3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 Беремник Рис   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис .3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 Беремник Рис   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3.5 Беремник Рис   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 Беремник Рис   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 Беремник Рис   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 Беремник Рис   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6,0 2.4 6,0 / 4.0 Беремник Рис   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6,0 7.0 12.7 4.2 Беремник Рис   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6,0 7.0 12.7 4.2 Беремник Рис   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6,0 7.0 15.0 4.2 Беремник Рис   RFT50-1500TM5078

    Обзор

    Фланец, как правило, изготовлен из медного никеля или обработки серебра. Субстрат сопротивления, как правило, изготовлен из оксида бериллия, нитрида алюминия и печать оксида алюминия в соответствии с потребностями в мощности и условиях рассеяния тепла.

    Фланцевое завершение, как и навидимое завершение, в основном используется для поглощения сигнальных волн, передаваемых до конца схемы, не позволяет отражать отражение сигнала влиять на цепь и обеспечить качество передачи системы цепи.

    Фланцевое завершение имеет характеристику легкой установки по сравнению с резисторами для патч из -за его фланца и монтажных отверстий на фланце.


  • Предыдущий:
  • Следующий: