продукты

Продукты

Фланцевое окончание

В конце цепи устанавливаются фланцевые окончания, которые поглощают сигналы, передаваемые в цепи, и предотвращают отражение сигнала, тем самым влияя на качество передачи системы цепи.

Фланцевая клемма собирается путем сварки одножильного терминального резистора с фланцами и накладками.Размер фланца обычно рассчитывается на основе комбинации установочных отверстий и размеров сопротивления клемм.Настройка также может быть выполнена в соответствии с требованиями использования клиента.


  • :
  • Информация о продукте

    Теги продукта

    Фланцевое окончание

    Фланцевое окончание
    Основные технические характеристики:

    Номинальная мощность: 5-1500 Вт;
    Материалы подложки: BeO, AlN, Al2O3.
    Номинальное значение сопротивления: 50 Ом
    Допуск сопротивления: ±5%, ±2%, ±1%.
    Температурный коэффициент:<150 ppm/℃
    Рабочая температура:-55~+150℃.
    Покрытие фланца: опциональное никелирование или серебро.
    Стандарт ROHS: Соответствует
    Применимый стандарт: Q/RFTYTR001-2022.
    Длина вывода: L, как указано в паспорте.
    (можно настроить в соответствии с требованиями заказчика)

    zxczxc1
    Власть
    (Вт)
    Частота
    Диапазон
    Размер (единица измерения: мм) СубстратМатериал Конфигурация Техническая спецификация
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РИСУНОК 1   RFT50A-05TM1304
    11,0 4.0 7,6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  РИСУНОК 1   RFT50A-05TM1104
    9,0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Фиг.2   RFT50A-05TM0904(Р,Л,И)
    10 Вт 4 ГГц 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Фиг.2   RFT50-10TM7705((П,Л))
    6 ГГц 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РИСУНОК 1   РФТ50А-10ТМ1304
    АлН РИСУНОК 1   RFT50N-10TJ1304
    11,0 4.0 7,6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  РИСУНОК 1   РФТ50А-10ТМ1104
    АлН РИСУНОК 1   RFT50N-10TJ1104
    9,0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Фиг.2   RFT50A-10TM0904(Р,Л,И)
      АлН Фиг.2   RFT50N-10TJ0904(Р,Л,И)
    8 ГГц 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-10ТМ1304
    11,0 4.0 7,6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-10ТМ1104
    9,0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 БеО Фиг.2   RFT50-10TM0904(Р,Л,И)
    18 ГГц 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Фиг.2   РФТ50-10ТМ7705И
    20 Вт 4 ГГц 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Фиг.2   RFT50-20TM7705((П,Л))
    6 ГГц 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-20TJ1304
    11,0 4.0 7,6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-20TJ1104
    9,0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 АлН Фиг.2   RFT50N-20TJ0904(Р,Л,И)
    8 ГГц 13,0 4.0 9,0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-20ТМ1304
    11,0 4.0 7,6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-20ТМ1104
    9,0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 БеО Фиг.2   RFT50-10TM0904(Р,Л,И)
    18 ГГц 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Фиг.2   РФТ50-10ТМ7705И
    30 Вт 6 ГГц 16,0 6.0 13,0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-30TJ1606
    БеО РИСУНОК 1   РФТ50-30ТМ1606
    20,0 6.0 14,0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН РИСУНОК 1   РФТ50Н-30ТДЖ2006
    БеО РИСУНОК 1   РФТ50-30ТМ2006
    13,0 6.0 10,0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Фиг.2   RFT50N-30TJ1306(Р,Л,И)
    3.0 БеО Фиг.2   RFT50-30TM1306(Р,Л,И)
    60 Вт 6 ГГц 16,0 6.0 13,0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-60ТМ1606
    20,0 6.0 14,0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН РИСУНОК 1   РФТ50Н-60ТДЖ2006
    3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-60ТМ2006
    13,0 6.0 10,0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Фиг.2   RFT50N-60TJ1306(Р,Л,И)
    3.2 БеО Фиг.2   RFT50-60TM1306(Р,Л,И)
    法兰式终端РИС.3,4,5
    Власть
    (Вт)
    Частота
    Диапазон
    Размеры (единица измерения: мм) Субстрат
    Материал
    Конфигурация Технический паспорт(PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24,8 9,5 18,4 9,5 2,9 4,8 5,5 1,4 6.0 / 3.1 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-100ТМ2595
    4 ГГц 16,0 6.0 13,0 9,0 1.0 2.0 2,5 1.0 6.0 / 2.1 БеО Фиг.2   РФТ50Н-100ТМ1606
    20,0 6.0 14,0 9,0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50Н-100ТДЖ2006
    24,8 6.0 18,4 6.0 2,8 3,8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-100ТМ2506
    16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.4   RFT50-100TJ1610(Р,Л,И)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1,5 3.0 3,8 1,4 6.0 / 3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-100TJ2310
    24,8 10,0 18,4 10,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-100TJ2510
    5 ГГц 13,0 6.35 10,0 6.35 1,5 2,5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 БеО Фиг.2   RFT50-100TJ1363(Р,Л,И)
    16,6 6.35 12,0 6.35 1,5 2,5 3,5 1.0 5.0 / 2,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-100ТМ1663
    6 ГГц 16,0 6.0 13,0 8,9 1.0 2.0 2,5 1.0 5.0 / 2.1 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-100TJ1606B
    20,0 6.0 14,0 8,9 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20,0 6.0 14,0 8,9 1,5 3.0 3,5 1.0 5.0 / 3.2 АлН РИСУНОК 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.4   RFT50-150TM1610(П,Л,И)
    22,0 9,5 14,0 6.35 1,5 2.6 3.0 1,4 5.0 / 4.0 АЙН РИСУНОК 1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18,4 9,5 2,9 4,8 5,5 1,4 6.0 / 3.1 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-150ТМ2595
    24,8 10,0 18,4 10,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-150ТМ2510
    4 ГГц 16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.4   RFT50-150TJ1610(Р,Л,И)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1,5 3.0 3,8 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.3   РФТ50-150TJ2310
    24,8 10,0 18,4 10,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24,8 9,5 18,4 9,5 2,9 4,8 5,5 1,4 6.0 / 3.1 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-200ТМ2595
    24,8 10,0 18,4 10,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-200ТМ2510
    4 ГГц 16,0 10,0 13,0 10,0 1,5 2.6 3.3 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.2   RFT50-200TM1610(П,Л,И)
    23,0 10,0 17,0 10,0 1,5 3.0 3,8 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.3   РФТ50-200TJ2310
    24,8 10,0 18,4 10,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-200ТМ3213Б
    250 Вт 3 ГГц 23,0 10,0 17,0 12,0 1,5 3.0 3,8 1,4 6.0 / 3.2 БеО Фиг.3   РФТ50-250ТМ2310
    24,8 10,0 18,4 12,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-250ТМ2510
    27,0 10,0 21,0 12,0 2,5 4.0 5,5 1,4 6.0 / 3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-250ТМ2710
    10 ГГц 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-250ТМ3213Б
    300 Вт 3 ГГц 23,0 10,0 17,0 12,0 1,5 3.0 3,8 1,4 6.0 / 3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-300ТМ2310
    24,8 10,0 18,4 12,0 3.0 4.6 5,5 1,4 6.0 / 3,5 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-300ТМ2510
    27,0 10,0 21,0 12,0 2,5 4.0 5,5 1,4 6.0 / 3.2 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-300ТМ2710
    10 ГГц 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-400ТМ3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12,7 22,0 12,7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИСУНОК 1   РФТ50-500ТМ3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6,9 6.0 7.0 12,7 4.2 БеО Фиг5   РФТ50-800ТМ4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6,9 6.0 7.0 12,7 4.2 БеО Фиг5   РФТ50-1000ТМ4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9,0 6.0 7.0 15,0 4.2 БеО Фиг5   РФТ50-1500ТМ5078

    Обзор

    Фланец обычно изготавливается из никеля или серебра с медным покрытием.Подложка сопротивления обычно изготавливается из оксида бериллия, нитрида алюминия и печати из оксида алюминия в соответствии с требованиями к мощности и условиями рассеивания тепла.

    Фланцевое окончание, как и выводное окончание, в основном используется для поглощения сигнальных волн, передаваемых к концу цепи, предотвращения воздействия отражения сигнала на цепь и обеспечения качества передачи схемной системы.

    Фланцевое оконечное соединение отличается легкостью установки по сравнению с патч-резисторами благодаря фланцу и монтажным отверстиям на фланце.


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам