RFTYT DC-110ГГц Коаксиальная ВЧ-терминация | |||||
Власть | Тип разъема | Импеданс (Ом) | КСВН Макс | Диапазон частоты (ГГц) и разъем M Техническая спецификация | Диапазон частоты (ГГц) и разъем F Техническая спецификация |
1W | 1.0 | 50 Ом | 1,50 | 110Г-М | 110Г-Ф |
1,35 | 50 Ом | 1,60 | 90Г-М | / | |
2W | 1,85 | 50 Ом | 1.30 | 67Г-М | 67Г-Ф |
2.4 | 50 Ом | 1.20 | 50Г-М | 50Г-Ф | |
2,92 | 50 Ом | 1.20 | 40Г-М | 40Г-Ф | |
СМП | 50 Ом | 1.30 | 40Г-М | 40Г-Ф | |
СМА | 50 Ом | 1,35 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
N | 50 Ом | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
5W | 2,92 | 50 Ом | 1,25 | 40Г-М | 40Г-Ф |
СМП | 50 Ом | 1.30 | 18Г-М | 18Г-Ф | |
СМА | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
10 Вт | 1,85 | 50 Ом | 1.40 | 67Г-М | 67Г-Ф |
2.4 | 50 Ом | 1.40 | 50Г-М | 50Г-Ф | |
СМП | 50 Ом | 1.30 | 18Г-М | 18Г-Ф | |
СМА | 50 Ом | 1,25 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8г10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
20 Вт | 2,92 | 50 Ом | 1.30 | 40Г-М | 40Г-Ф |
СМА | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
30 Вт | 2,92 | 50 Ом | 1.30 | 40Г-М | 40Г-Ф |
СМА | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
50 Вт | СМА | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г |
N | 50 Ом | 1.20 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
100 Вт | СМА | 50 Ом | 1,35 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г |
N | 50 Ом | 1,45 | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | 3G 4G 6G 8G 10G 12,4 г 18Г | |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
150 ОмВт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
200 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
300 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
500 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G |
4.3-10 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 3G 4G 6G | 3G 4G 6G | |
1000 Вт | N | 50 Ом | 1.30 | 1G 2G 3G 4G | 1G 2G 3G 4G |
DIN、N29、7/16 | 50 Ом | 1.30 | 1G 2G 3G 4G | 1G 2G 3G 4G |
Радиочастотное коаксиальное фиксированное оконечное соединение также называется фиктивной нагрузкой и представляет собой пассивное однопортовое микроволновое устройство, широко используемое в микроволновых цепях и микроволновом оборудовании.Его основная цель — поглощать мощность радиочастотных или микроволновых систем;Или в качестве эквивалентной нагрузки для антенн и терминалов передатчика.В некоторых радиочастотных испытаниях, чтобы избежать отражения сигнала и повлиять на результаты испытаний, его подключают к неиспользуемым портам в качестве согласующих нагрузок для поглощения энергии порта.Он также может служить фиктивной нагрузкой при оценке производительности системы через моделируемые терминалы (например, антенны).
Имитаторы нагрузки собираются из разъемов, радиаторов и встроенных микросхем резисторов.В зависимости от частоты и мощности разъемы обычно бывают таких типов, как 2,92, SMA, N, DIN, 4,3-10 и т. д.
Радиатор спроектирован с соответствующими размерами рассеивания тепла в зависимости от требований к рассеиванию тепла для разных уровней мощности. Встроенный чип использует один чип или несколько групп чипов в соответствии с различными требованиями к частоте и мощности.
Продукты серии коаксиальных фиксированных оконечных устройств имеют характеристики широкого диапазона рабочих частот, низкий коэффициент КСВ, высокую мощность, небольшой размер и не легко перегорают.
Наша компания в основном исследует, производит и продает макеты нагрузки с максимальной частотой 110G.Приглашаем клиентов совершать покупки. Вы также можете связаться с отделом продаж, чтобы настроить их в соответствии с потребностями вашего приложения.